รายละเอียดสินค้า

[คุณสมบัติ]
● ความหนาแน่นในการติดตั้งได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นเมื่อเทียบกับตัวต้านทาน ชิป IC
● ลดต้นทุนการติดตั้งโดยการลดจำนวนเวลาในการติดตั้งชิ้นส่วน
● 2, 4 และ 8 องค์ประกอบของอาร์เรย์ ตัวต้านทาน SMD
● มีประเภท งานละเอียด ±1%
● ผลการจัดตำแหน่งตัวเองที่สูงขึ้นใน กระบวนการแปรรูป บัดกรีแบบรีโฟลว์
● การจดจำภาพระหว่างการติดตั้งทำได้ง่าย
● เหมาะสำหรับทั้งการบัดกรีแบบไหลและ กระบวนการ Reflow
● รองรับการใช้งาน กับ AEC-Q200 (การรับข้อมูล) (CN1J4)
● ความหนาแน่นในการติดตั้งมีความก้าวหน้ามากกว่าตัวต้านทาน ชิป IC แต่ละตัว
● ลดต้นทุนการติดตั้งโดยการลดจำนวนเวลาในการติดตั้งชิ้นส่วน
● 2, 4 และ 8 องค์ประกอบของอาร์เรย์ ตัวต้านทาน SMD
● มีประเภท งานละเอียด ±1%
● ผลการจัดตำแหน่งตัวเองที่สูงขึ้นใน กระบวนการแปรรูป บัดกรีแบบรีโฟลว์
● เหมาะสำหรับเมานท์การรับรู้รูปภาพเนื่องจากมี การออกแบบ มุม แบบเหลี่ยม
● เหมาะสำหรับทั้งการบัดกรี กระบวนการ Reflow และการบัดกรีแบบโฟลว์
● ผ่านการรับรอง AEC-Q200 (CN1J4)