(!) เนื่องจาก Microsoft จะหยุดให้การสนับสนุนระบบปฏิบัติการ Windows 7 ตั้งแต่วันที่ 14 มกราคม 2563 และอาจส่งผลให้ผู้ใช้ระบบปฏิบัติการ Windows 7 ไม่สามารถใช้งานเว็บไซต์มิซูมิได้อย่างสมบูรณ์ กรุณาอัพเดทระบบและบราวเซอร์ตามเงื่อนไขระบบที่รองรับมิซูมิเว็บไซต์

MiSUMi

Webcode Seach | ชุด: #รหัส

คำค้นหาที่แนะนำ

ทางลัดรหัสสินค้า (รายละเอียดสินค้า)

ผลิตภัณฑ์ที่เลิกผลิต

แจ้งวันหยุดทำการในเดือน กรกฎาคมและสิงหาคม 2567 | Notice holiday in July and August 2024 > คลิก

ข้อเสนอแนะในการปรับปรุง

ข้อเสนอแนะในการปรับปรุง

* แบบฟอร์มนี้สำหรับส่งข้อคิดเห็น/ข้อเสนอแนะเกี่ยวกับเว็บไซต์และการบริการเท่านั้น
ความคิดเห็น/ข้อเสนอแนะ

ชื่อ

อีเมลล์

โทร.

ขอบคุณสำหรับความร่วมมือ
ข้อคิดเห็นของท่านจะถูกนำไปพิจารณาเพื่อการปรับปรุงในอนาคตต่อไป

ขอบคุณสำหรับความร่วมมือ

ข้อคิดเห็นของท่านจะถูกนำไปพิจารณาเพื่อการปรับปรุงในอนาคตต่อไป

กำหนดค่า

ยังไม่ได้กำหนดหมายเลขชิ้นส่วน

(1 รหัสสินค้าที่พบ)

กำหนดค่าข้อมูลจำเพาะที่เหลืออยู่

เสร็จ

R1RW0416DSB-0PI-D1

เวลาเข้า วันจัดส่ง

ข้อมูลจำเพาะ / ขนาด

เวลาเข้า
- 10น
- 12ns
ล้างค่าการค้นหา

วันจัดส่ง

ทั้งหมด

5 วันหรือน้อยกว่า

6 วันหรือน้อยกว่า
ล้างค่าการค้นหา

ระบุการเปลี่ยนแปลง

R1RW0416D-I ช่วงอุณหภูมิกว้าง รุ่น 4M SRAM ความเร็วสูง (256 กิโลเวิร์ด × 16 บิต) (R1RW0416DSB-0PI-D1)

MEMORIES

เปรียบเทียบสินค้าชิ้นนี้

แบรนด์ :

RENESAS

จำนวน :
จำนวนวันจัดส่ง :

---
รวม :

---

เลือกรหัสสินค้าเพื่อสั่งซื้อทันที/ ใส่ในรถเข็น

รายละเอียดสินค้า

R1RW0416DI เป็น RAM แบบคงที่ความเร็วสูง 4 Mbit ซึ่งจัดขนาด 256 kword × 16 บิต สามารถรับรู้เวลาในการเข้าถึงด้วยความเร็วสูงโดยใช้ กระบวนการแปรรูป CMOS (เซลล์ แรม ,หน่วยความจำ 6 ทรานซิสเตอร์) และเทคโนโลยีการออกแบบวงจรความเร็วสูง เหมาะสมที่สุดสำหรับ การใช้งาน ที่ต้องการ แรม ,หน่วยความจำ ความเร็วสูง ความหนาแน่นสูงและการกำหนดค่าความกว้างบิตที่กว้าง เช่น แรม ,หน่วยความจำ แคชและ บัฟเฟอร์ ใน ระบบ R1RW0416DI บรรจุใน SOJ ขนาด 400 มิลลิเมตร 44 ขาพิน น และ TSOPII พลาสติกขนาด 400 มิลลิเมตร 44 ขาพิน สำหรับการติดตั้ง พื้นผิว ที่มีความหนาแน่นสูง

รหัสสินค้า

: 30; 60; 90

รหัสสินค้า
R1RW0416DSB-0PI-D1

รหัสสินค้า	ราคา	ชื่อสินค้า	จำนวนคำสั่งซื้อขั้นต่ำ	ส่วนลดปริมาณ	วันจัดส่ง	เวลาเข้า
	฿ 1,026.76	MEMORIES	1 ชิ้น		6 วัน	10น

กำลังโหลด …

ข้อมูลพื้นฐาน

การจ่ายแรงดันไฟฟ้า	3.3V ± 0.3V	รูปแบบแพ็ค	TSOP(44)	กระแสไฟฟ้า สแตนด์บาย Cmos	5 mA (สูงสุด)
ประเภทผู้ให้บริการ	ถาด

โปรดตรวจสอบ ชนิด / มิติ / รายละเอียด ของชิ้นส่วน R1RW0416DSB-0PI-D1 ในชุด R1RW0416D-I ช่วงอุณหภูมิกว้าง รุ่น 4M SRAM ความเร็วสูง (256 กิโลเวิร์ด × 16 บิต)