ผลิตภัณฑ์เสริมระบบ RFID V680

สเปคระบบ RFID

RF Tag (หน่วยความจำ 1 KB)

รูปแบบ	รุ่น V680- D1KP52MT	รุ่น V680- D1KP54T	รุ่น V680- D1KP66T	รุ่น V680- D1KP66MT	รุ่น V680- D1KP53M	รุ่น V680- D1KP66T-SP
ความจุของหน่วยความจำ	1,000 ไบต์ (พื้นที่ผู้ใช้)
ชนิดหน่วยความจำ	EEPROM
เวลาเก็บข้อมูล*1	10 ปีหลังจากเขียนข้อมูล (สูงสุด 85 °C)
จำนวนการเขียนข้อมูลใหม่	100,000 ครั้งต่อบล็อก (ที่อุณหภูมิ 25 องศาเซลเซียส)
อุณหภูมิแวดล้อมในการทำงาน (ระหว่างการสื่อสาร)	-25°C ถึง +85°C (ในกรณีที่ไม่เกิดน้ำแข็ง)					-25°C ถึง +70°C (ในกรณีที่ไม่เกิดน้ำแข็ง)
อุณหภูมิแวดล้อมในการจัดเก็บ (การเก็บรักษาข้อมูล)	*125 °C (กรณีไม่มีน้ำแข็ง) ความต้านทานวัฏจักรอุณหภูมิ: 1,000 รอบ รอบละ 30 นาที ที่ -10°C/150°C อุณหภูมิการเก็บรักษาสูง: 1,000 ชม. ที่ +150°C *2 ความต้านทานวัฏจักรอุณหภูมิ: 200 รอบ รอบละ 30 นาที ที่ -10°C/180°C อุณหภูมิการเก็บรักษาสูง: 200 ชม. ที่ +180°C *3				-40°C ถึง +125°C (ในกรณีที่ไม่เกิดน้ำแข็ง)	-40°C ถึง +110°C (ในกรณีที่ไม่เกิดน้ำแข็ง)
ความชื้นแวดล้อมในการทำงาน	35 ถึง 95% RH
โครงสร้างในการป้องกัน	IP68 (IEC 60529:2001) ทนน้ำมันเทียบเท่ากับ IP67G (JIS C 0920:2003 ภาคผนวก 1) *4	IP67 (IEC 60529:2001) ทนน้ำมันเทียบเท่ากับ IP67G (JIS C 0920:2003 ภาคผนวก 1) *4	IP68 (IEC60529:2001) ความทนน้ำมันเทียบเท่า IP67G (JIS C 0920:2003, ภาคผนวก 1) *4			IP67
ป้องกันการสั่นสะเทือน	10 ถึง 2,000 Hz, ดับเบิ้ลแอมพลิจูด 1.5 มม. ที่ 150 m/s2 อัตราเร่ง 10 สวีป ในทิศทาง X, Y และ Z ครั้งละ 15 นาที (ต้องไม่มีสิ่งผิดปกติ)
ความต้านทานแรงกระแทก	500 ม./วินาที2 ช็อกในทิศทาง X, Y และ Z 3 ครั้ง (รวม 18 ครั้ง) (ต้องไม่มีสิ่งผิดปกติ)
รูปทรง	⌀8 × 5 mm	⌀20 × 2.7 mm	34 × 34 × 3.5 mm		⌀10 × 4.5 mm (สอดคล้องตามมาตรฐาน DIN698373)	95 × 36.5 × 6.5 mm (ไม่รวมส่วนที่ยื่นออกภายนอก)
วัสดุ	เคส เรซิ่น PPS สารเพิ่มเนื้อเรซิน: อีพ๊อกซี่เรซิ่น	โมลด์: เรซิ่น PPS			เคส เรซิ่น PPS สารเพิ่มเนื้อเรซิน: อีพ๊อกซี่เรซิ่น	เรซิ่นภายนอก : ฟลูออโรเรซิ่น (PFA) ตัว RF Tag: เรซิ่น PPS
น้ำหนัก	ประมาณ 0.5 ก.	ประมาณ 2 ก.	ประมาณ 6 ก.	ประมาณ 7.5 ก.	ประมาณ 1 กรัม	ประมาณ 20 กรัม
ความเข้ากันได้ของโลหะ	มีจำหน่าย	ไม่มี	ไม่มี	มีจำหน่าย	มีจำหน่าย	ไม่มี

*1. หากเก็บรักษาที่ 125 °C ขึ้นไป ต้องเขียนข้อมูลอีกครั้งแม้จะไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนข้อมูลก็ตาม
* 2. ความต้านทานความร้อนตรวจสอบที่อุณหภูมิ 150°C และนานถึง 1,000 ชม. และตรวจสอบการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิแบบกระทันหัน (Thermal Shock) ทั้งหมด 1,000 รอบอุณหภูมิ รอบละ 30 นาที ที่ −10/150 °C (จำนวนตัวอย่างทดสอบ: 22 งานเสีย: 0)
*3. ความต้านทานความร้อนตรวจสอบที่อุณหภูมิ 180°C และนานถึง 200 ชม. และตรวจสอบการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิแบบกระทันหัน (Thermal Shock) ทั้งหมด 200 รอบ รอบละ 30 นาที ที่ −10/180 °C (จำนวนตัวอย่างทดสอบ: 22 งานเสีย: 0)
*4. ความต้านทานน้ำมันได้ผ่านการทดสอบโดยใช้น้ำมันหล่อเย็นเฉพาะตามที่กำหนดไว้ในวิธีการทดสอบของ OMRON

"m-h3--wysiwyg">แท็ก RF (หน่วยความจำประเภทอุณหภูมิสูง 1 KB)

รูปแบบ	รุ่น V680-D1KP58HTN
ความจุของหน่วยความจำ	1,000 ไบต์ (พื้นที่ผู้ใช้)
ชนิดหน่วยความจำ	EEPROM
เวลาเก็บข้อมูล	10 ปีหลังจากเขียนข้อมูล (สูงสุด 85 °C หรือต่ำกว่า) 0.5 ปีหลังจากเขียนข้อมูล (ไม่เกิน 125 °C) การรักษาข้อมูลโดยรวมที่อุณหภูมิสูงเกินกว่า 125°C คือ 10 ชม.*1
จำนวนการเขียนข้อมูลใหม่	100,000 ครั้งต่อบล็อก (ที่อุณหภูมิ 25 องศาเซลเซียส)
อุณหภูมิใช้งานแวดล้อม (ขณะสื่อสาร)	-25°C ถึง +85°C (ในกรณีที่ไม่เกิดน้ำแข็ง)
อุณหภูมิแวดล้อมในการจัดเก็บ	-40 ถึง + 250 °C (กรณีไม่มีน้ำแข็ง) *2 (การเก็บรักษาข้อมูล: -40 to +125 °C) 1) 2,000 รอบ รอบละ 30 นาทีระหว่างอุณหภูมิห้องและ 200 °C 2) 500 ชั่วโมงที่ 250 °C
ความชื้นแวดล้อมในการจัดเก็บ	ไม่มีข้อจำกัด
โครงสร้างในการป้องกัน	IP67 (IEC 60529:2001) ความทนน้ำมันเทียบเท่า IP67G (JIS C 0920:2003, ภาคผนวก 1) *3
ป้องกันการสั่นสะเทือน	10 ถึง 2,000 Hz, ดับเบิ้ลแอมพลิจูด 1.5 มม. ที่ 150 m/s2 อัตราเร่ง 10 สวีป ในทิศทาง X, Y และ Z ครั้งละ 15 นาที (ต้องไม่มีสิ่งผิดปกติ)
ความต้านทานแรงกระแทก	500 ม./วินาที2 ช็อกในทิศทาง X, Y และ Z 3 ครั้ง (รวม 18 ครั้ง) (ต้องไม่มีสิ่งผิดปกติ)
วัสดุ	เรซิ่น PPS
น้ำหนัก	ประมาณ 70 ก.

*1. หากเก็บรักษาที่อุณหภูมิสูง ต้องเขียนข้อมูลอีกครั้งแม้จะไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนข้อมูลก็ตาม อุณหภูมิสูงหมายถึงอุณหภูมิที่เกินกว่า 125°C จนถึง 250°C
*2. การเก็บรักษาภายใต้อุณหภูมิสูงหรือมีความร้อนหมุนเวียนอาจส่งผลกระทบต่อชิ้นส่วนภายในและเหมือนมีการใช้งาน RF Tag ผ่านการทดลองวางไว้