หน่วยความจำซีรีส์ MELSEC-F
แบรนด์ :
MITSUBISHI
ข้อควรระวัง
- สินค้านี้เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS Category 9 “อุปกรณ์เพื่อติดตามและควบคุม” โดยอยู่นอกเหนือจากข้อจำกัดในการใช้งานพาทาเลต เอสเตอร์ จนถึง 21 กรกฎาคม 2021
รายละเอียดสินค้า
หน่วยความจำซีรีส์ MELSEC-F
[คุณสมบัติ]
· หน่วยความจำแฟลช, หน่วยความจำ EEPROM ไม่ต้องใช้แบตเตอรี่สำรอง
· เขียนได้ด้วยซีเควนเซอร์
· มีสวิตช์ป้องกันข้อผิดพลาดในการเขียน
[การใช้งาน]
· การเขียนและถ่ายโอนโปรแกรม
คุณสมบัติของหน่วยความจำแฟลช FX3U-FLROM-16/FX3U-FLROM-64 สำหรับ FX3U/FX3UC
FX3U-FLROM-64
เขียนได้ด้วยซีเควนเซอร์ หน่วยความจำแฟลชไม่ต้องใช้แบตเตอรี่สำรอง
มาพร้อมสวิตช์ป้องกันข้อผิดพลาดในการเขียน
ความจุหน่วยความจำ
FX3U-FLROM-16: 16,000 ขั้นตอน
FX3U-FLROM-64: 64,000 ขั้นตอน
รายละเอียดจำเพาะทั่วไปของ FX3U-FLROM-16/FX3U-FLROM-64
| ซีเควนเซอร์ที่ใช้งานได้ | FX3U, FX3UC |
|---|---|
| ประเภทหน่วยความจำ | หน่วยความจำแฟลช |
คุณสมบัติของหน่วยความจำแฟลช FX3U-FLROM-64L พร้อมฟังก์ชั่นโหลดสำหรับ FX3U/FX3UC
FX3U-FLROM-64L
เขียนได้ด้วยซีเควนเซอร์ หน่วยความจำแฟลชพฟังก์ชั่นก์ชันโหลดไม่ต้องใช้แบตเตอรี่สำรอง
มาพร้อมสวิตช์ป้องกันข้อผิดพลาดในการเขียน
รายละเอียดจำเพาะของ FX3U-FLROM-64L
| ซีเควนเซอร์ที่ใช้งานได้ | FX3U, FX3UC (เวอร์ชัน 2.20 และใหม่กว่า) |
|---|---|
| ประเภทหน่วยความจำ | หน่วยความจำแฟลช |
| ความจุหน่วยความจำ | 64000 ขั้นตอน |
คุณสมบัติหน่วยความจำ FX3G- EEPROM-32L EEPROM พร้อมฟังก์ชั่นโหลดสำหรับ FX3S/FX3G
FX3G-EEPROM-32L
หน่วยความจำ EEPROM พร้ฟังก์ชั่นชันตัวโหลดที่เขียนได้ด้วย PLC
มาพร้อมสวิตช์ป้องกันข้อผิดพลาดในการเขียน
รายละเอียดจำเพาะ FX3G- EEPROM-32L
| ซีเควนเซอร์ที่ใช้งานได้ | FX3S, FX3G |
|---|---|
| ประเภทหน่วยความจำ | หน่วยความจำ EEPROM |
| ความจุหน่วยความจำ | 32,000 ขั้นตอน สูงสุด 16,000 ขั้นตอน (ความจุโปรแกรม 4,000 ขั้นตอน) ใช้งานได้เมื่อเชื่อมต่อกับ FX3S |