สวิตช์หน้าสัมผัสต่ำ

[คุณสมบัติ]
· แรงหน้าสัมผัสต่ำ 0.1 N
· ด้วยการใช้วงจรแบบไม่สัมผัสสำหรับสวิตช์ในตัว แรงสัมผัสที่ต่ำซึ่งใกล้เคียงกับการไม่สัมผัสมากที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ (อย่างไรก็ตาม เนื่องจากมีการใช้แอมพลิฟายเออร์ ข้อเสียของฮิสเทรีซิสและการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิจึงยังคงมีอยู่เมื่อเทียบกับชนิดสัมผัส)
· ชนิดไม่สัมผัสที่ใช้วงจรแบบไม่สัมผัสสำหรับโครงสร้างหน้าสัมผัส
· เกิดแรงสัมผัสต่ำที่ 0.1N ในขณะที่ยังคงความน่าเชื่อถือเท่ากับชนิดสัมผัส
[การใช้งาน]
· เหมาะสำหรับกำหนดตำแหน่งชิ้นงานที่เสียหายง่าย เช่น เซมิคอนดักเตอร์และเซรามิก
· สะดวกสำหรับการตรวจจับชิ้นส่วนขนาดเล็กที่เสียรูปง่าย