เพิ่มลงในรายการชิ้นส่วนของฉัน
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
ดาวน์โหลดรายละเอียดผลิตภัณฑ์(!) เนื่องจาก Microsoft จะหยุดให้การสนับสนุนระบบปฏิบัติการ Windows 7 ตั้งแต่วันที่ 14 มกราคม 2563 และอาจส่งผลให้ผู้ใช้ระบบปฏิบัติการ Windows 7 ไม่สามารถใช้งานเว็บไซต์มิซูมิได้อย่างสมบูรณ์ กรุณาอัพเดทระบบและบราวเซอร์ตามเงื่อนไขระบบที่รองรับมิซูมิเว็บไซต์
กลุ่มสินค้า
ค้นหาโดยกลุ่มสินค้า
กลุ่มสินค้า
ค้นหาโดยกลุ่มสินค้า
- ดูล่าสุด
- ชิ้นส่วนของฉัน
- รถเข็น
- แจ้งวันหยุดทำการในเดือน เมษายน 2567 | Notice holiday in April 2024 > คลิก
ระบุการเปลี่ยนแปลง
รีเลย์ MOS FET G3VM-61AY / DY
RELAY
- ทั้งหมด
- สินค้าลดราคา
คัดลอกลิงค์รหัสสินค้า
คัดลอกลิงค์รหัสสินค้าสำเร็จ.
-
- เริ่ม :
- ฿ 195.22/หน่วย
-
- จำนวน :
-
-
- จำนวนวันจัดส่ง :
- ---
-
- รวม :
- ---
เลือกรหัสสินค้าเพื่อสั่งซื้อทันที/ ใส่ในรถเข็น
ภาษาญี่ปุ่นเท่านั้น
ผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกัน
ดาวน์โหลดรายละเอียดผลิตภัณฑ์รายละเอียดสินค้า
DIP ขนาดเล็กชนิด 4 พินแบบ SSR (สำหรับแผงวงจร) สามารถทนต่อแรงดันไฟฟ้าอินพุต-เอาท์พุตได้ 5,000 V AC
[คุณสมบัติ]
· รีเลย์ MOS FET ขนาดเล็กสำหรับใช้งานทั่วไป เหมาะสำหรับการสลับสัญญาณอนาล็อก
· Opto-isolated และมีคุณสมบัติทนต่อแรงดันไฟฟ้าระหว่างอินพุตและเอาท์พุต 5 kV AC
· ให้กระแสตกคร่อมทริกเกอร์ LED ที่ 2mA (สูงสุด) ช่วยให้อุปกรณ์ประหยัดพลังงานมากขึ้น
· สามารถสลับสัญญาณไมโครอนาล็อก
[การใช้งาน]
· สำหรับอุปกรณ์สื่อสาร อุปกรณ์ OA อุปกรณ์ทดสอบ อุปกรณ์ป้องกันภัยพิบัติ/อาชญากรรม
· มีประโยชน์สำหรับการใช้งานที่หลากหลาย เพียงติดตั้งเข้ากับแผงวงจรของอุปกรณ์เพื่อความปลอดภัย และอื่นๆ
รายละเอียดจำเพาะ รีเลย์ MOS FET DIP 4 พิน ขนาดเล็ก ชนิดมีความเป็นฉนวนสูง
ลักษณะภายนอกของ G3VM-61AY/DY
Drawing ระบุขนาด ขั้วต่อแผงวงจร
Drawing ระบุขนาด ขั้วต่อติดตั้งกับพื้นผิว
ขนาดการปรับแต่งแผงวงจร G3VM-61AY/DY
ขนาดแพ็ดติดตั้ง (ค่าแนะนำ) G3VM-61AY/DY
รายการทั่วไป/หน่วย: มม.
- สินค้าจริงมีการทำเครื่องหมายแตกต่างจากรูปที่แสดงอยู่นี้
ประเภท G3VM-61AY/DY (ชนิดความไวสูง)
| รูปทรง | การกำหนดหน้าสัมผัส | โหลดแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด) * | โหลดกระแสไฟฟ้าต่อเนื่อง (สูงสุด) * | รุ่น | |
|---|---|---|---|---|---|
| ขั้วต่อแผงวงจร | ขั้วต่อติดตั้งบนพื้นผิว | ||||
| DIP 4 | 1a | 60 V | 500 mA | G3VM-61AY | G3VM-61DY |
* โหลดกระแสไฟฟ้าต่อเนื่อง (สูงสุด), โหลดแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด): แสดงถึงค่า AC/DC สูงสุด
ค่าพิกัดสูงสุดสัมบูรณ์ (Ta = 25°C) G3VM-61AY/DY ชนิดความไวสูง
| รายการ | สัญลักษณ์ | G3VM-61AY G3VM-61DY | หน่วย | เงื่อนไข | |
|---|---|---|---|---|---|
| ด้านอินพุต | กระแสตกคร่อม LED | IF | 30 | mA | — |
| กระแสตกคร่อม LED ซ้ำ | IFP | 1 | A | พัลส์ 100 µs, 100 pps | |
| อัตราการลดลงของกระแสตกคร่อม DC | ΔIF/°C | -0.3 | mA /°C | Ta ≧ 25°C | |
| แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ LED | VR | 5 | V | — | |
| อุณหภูมิ Junction | TJ | 125 | °C | — | |
| ด้านเอาต์พุต | โหลดแรงดันไฟฟ้า (ค่าสูงสุด AC/DC) | VOFF | 60 | V | — |
| โหลดกระแสไฟฟ้าต่อเนื่อง (ค่าสูงสุด AC/DC) | IO | 500 | mA | — | |
| อัตราการลดลงของกระแสไฟฟ้า On | ΔIO/°C | -5 | mA /°C | Ta ≧ 25°C | |
| พัลส์ของกระแสไฟฟ้า On | Iop | 1.5 | A | t = 100 ms, Duty = 1/10 | |
| อุณหภูมิ Junction | TJ | 125 | °C | — | |
| ความทนต่อแรงดันไฟฟ้าอินพุต-เอาท์พุต (หมายเหตุ 1) | VI-O | 5,000 | Vrms | AC เป็นเวลา 1 นาที | |
| อุณหภูมิแวดล้อมใช้งาน | Ta | -40 ถึง +85 | °C | เมื่อไม่มีการควบแน่นหรือไม่มีน้ำแข็ง | |
| อุณหภูมิการเก็บรักษา | Tstg | -55 ถึง +125 | °C | ||
| เงื่อนไขอุณหภูมิบัดกรี | — | 260 | °C | 10 s | |
(หมายเหตุ 1): ความทนต่อแรงดันไฟฟ้าอินพุต-เอาท์พุตวัดจากการใช้แรงดันไฟฟ้าระหว่างพินทั้งหมดเป็นกลุ่มที่ด้าน LED และพินทั้งหมดเป็นกลุ่มที่ด้านรับแสง
G3VM-61AY/DY ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าแบบความไวสูง (Ta = 25°C)
| รายการ | สัญลักษณ์ | รุ่น G3VM-61AY รุ่น G3VM-61DY | หน่วย | เงื่อนไข | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ด้านอินพุต | แรงดันตกคร่อม LED | VF |
กำลังโหลด … ข้อมูลพื้นฐาน
โปรดตรวจสอบ ชนิด / มิติ / รายละเอียด ของชิ้นส่วน G3VM-61AY ในชุด รีเลย์ MOS FET G3VM-61AY / DY
วิธีการชำระเงิน
โซเชียลมีเดียติดต่อ MISUMIลิขสิทธิ์© MISUMI Corporation สงวนลิขสิทธิ์ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ข้อเสนอแนะในการปรับปรุง
ข้อเสนอแนะในการปรับปรุง